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三星集團芯片，三星電子 擴產(chǎn)

發(fā)布時間：2025-07-01 17:53:21 來源：重慶賽名佳 作者：出國政策

IT之家8月7日訊《彭博法律》 據(jù)路透社報道，星集哈佛大學周一在德克薩斯州東區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院指控三星電子侵犯微處理器和內(nèi)存制造領(lǐng)域的團芯兩項專利。法庭。片星

IT House從起訴書中稱，電擴哈佛大學化學系教授Roy G. Gordon是星集這兩項專利的發(fā)明人，哈佛大學是團芯這些專利的受讓人，哈佛大學對相應專利擁有完全權(quán)利。片星我有。電擴

與三星美國辦公設(shè)施相關(guān)的兩項專利分別涉及沉積含鈷和鎢的薄膜的方法：“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”和“氮化鎢的氣相沉積”。標題為。團芯哈佛大學表示，片星“此類薄膜對于許多產(chǎn)品的電擴關(guān)鍵部件至關(guān)重要，包括計算機和手機”。星集

哈佛大學認為，團芯三星電子侵犯了哈佛大學關(guān)于在高通Snapdragon 8 Gen 1 處理器等OEM 制造過程中制造氮化鈷薄膜的片星專利，該專利涉及三星S22 智能手機等產(chǎn)品。

當三星制造LPDDR5X 和其他存儲器時，三星的Galaxy Z Flip5 可折疊手機使用了哈佛大學鎢層沉積專利相關(guān)LPDDR5X 存儲器產(chǎn)品的至少一項權(quán)利要求的所有元素。

在起訴書中，哈佛大學要求三星電子停止侵權(quán)活動并支付未具體說明的金錢賠償。

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